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uvled原理是什么?什么是1UVLED消耗功率?

時(shí)間:2020-12-05 11:50來(lái)源:未知點(diǎn)擊:
uvled原理是什么?什么是1uvled消耗功率?

1UVLED發(fā)光機(jī)原理:PN結(jié)的端電壓構(gòu)成一定的勢(shì)壘。 當(dāng)正向偏置電壓時(shí)勢(shì)壘減小時(shí),P和N區(qū)域中的多數(shù)載流子彼此擴(kuò)散。 由于電子遷移率的遷移率遠(yuǎn)大于空穴的遷移率,因此大量電子將擴(kuò)散到P區(qū),從而在P區(qū)中注入少數(shù)載流子。 這些電子與價(jià)帶中的空穴復(fù)合,并且在復(fù)合期間獲得的能量以光能的形式釋放。 這就是PN結(jié)發(fā)光的原理。
2.UVLED發(fā)光效率:通常稱為組件的外部量子效率,是組件內(nèi)部的量子效率與組件的提取效率的乘積。 所謂的模塊內(nèi)部量子效率實(shí)際上就是模塊本身的電光轉(zhuǎn)換效率,這主要與模塊本身的特性(例如能帶,模塊材料的缺陷和雜質(zhì))有關(guān)。),勢(shì)壘晶體的組成和模塊的結(jié)構(gòu)。 組件的提取效率是指組件內(nèi)部生成的光子數(shù),在組件自身被吸收,折射和反射后,可以實(shí)際在組件外部進(jìn)行測(cè)量。 因此,與提取效率相關(guān)的因素包括成分材料本身的吸收,成分的幾何結(jié)構(gòu),成分和包裝材料的折射率差以及成分結(jié)構(gòu)的散射特性。 組件的內(nèi)部量子效率與組件的提取效率的乘積是整個(gè)組件的發(fā)光效果,即組件的外部量子效率。 早期組件開發(fā)的重點(diǎn)是改善其內(nèi)部量子效率。 主要方法是提高勢(shì)壘晶體的質(zhì)量并改變勢(shì)壘晶體的結(jié)構(gòu),使電能不易轉(zhuǎn)化為熱量,從而間接提高了UVLED的發(fā)光效率,從而獲得了70%的剩余能量。 正確的理論內(nèi)部量子效率,但是這樣的內(nèi)部量子效率幾乎接近理論極限。 在這樣的條件下,僅通過(guò)增加模塊內(nèi)部量子效率就不可能增加模塊的總光量,因此提高模塊的提取效率已成為重要的研究課題。 目前的方法主要是:晶粒形狀的變化TIP結(jié)構(gòu),表面粗糙化技術(shù)。


3,UVLED電氣特性:電流控制裝置,負(fù)載特性UI曲線類似于PN結(jié),正向方向的很小變化導(dǎo)通電壓會(huì)引起正向電流(指數(shù)級(jí))的大變化,反向漏電流非常小,反向擊穿電壓。 在實(shí)際使用中,應(yīng)該選擇。UVLED正向電壓隨著溫度的升高而變小,負(fù)溫度系數(shù)UVLED消耗功率,其中一部分被轉(zhuǎn)換為光能,這是我們所需要的。 其余部分轉(zhuǎn)化為熱量,從而提高了結(jié)溫。 散發(fā)的熱量(功率)可以表示為。
4,UVLED光學(xué)特性UVLED提供大寬度的單色光。 由于半導(dǎo)體的能隙隨著溫度的升高而減小,因此其發(fā)射的峰值波長(zhǎng)會(huì)隨著溫度的升高而升高,也就是說(shuō),光譜的紅移溫度系數(shù)為+ 2?3A /。UVLED發(fā)光亮度L和正向電流。 隨著電流的增加,發(fā)光亮度也大約增加。 另外,發(fā)光亮度也與環(huán)境溫度有關(guān)。 當(dāng)環(huán)境溫度高時(shí),復(fù)合效率降低并且發(fā)光強(qiáng)度降低。
5,UVLED熱學(xué)特性:小電流下LED溫升不明顯。 如果環(huán)境溫度高,UVLED的主波長(zhǎng)將發(fā)生紅移,亮度將降低,并且光的均勻性和均勻性將降低。 尤其是,點(diǎn)矩陣和大型顯示屏的溫度上升對(duì)LED的可靠性和穩(wěn)定性具有更大的影響。 因此散熱設(shè)計(jì)非常重要。
6,UVLED壽命UVLED長(zhǎng)時(shí)間工作會(huì)導(dǎo)致老化,特別是對(duì)于高功率的UVLED,光衰的問(wèn)題更加嚴(yán)重。 在測(cè)量UVLED的壽命時(shí),僅將燈的損壞視為UVLED壽命的終點(diǎn)是不夠的。LED的壽命應(yīng)通過(guò)UVLED的光衰減百分比來(lái)指定,例如35%,這更有意義。
7.大功率UVLED包裝:主要考慮散熱和發(fā)光。 關(guān)于散熱,請(qǐng)使用銅基熱襯,然后連接至鋁基散熱器。 芯片和散熱片通過(guò)焊接連接。 這種散熱方法效果更好,性價(jià)比更高。 在發(fā)光方面,采用倒裝芯片技術(shù),在底部和側(cè)面增加反射面以反射浪費(fèi)的光能,從而可獲得更多的消光光。

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